DSHB132 Panell Solar HJT 700-735W

DSHB132 Panell Solar HJT 700-735W

DSHB132 és un mòdul solar HJT bifacial d’alt rendiment que inclou una tecnologia avançada 0BB i una arquitectura de cèl·lules lliures de BO per eliminar la tapa i assegurar l’estabilitat de potència a llarg termini. Amb µ-Sio₂ dopat per més del 26% d’eficiència cel·lular, un tall làser criogènic per a una pèrdua de potència inferior i un disseny simètric que proporciona fins a un 95% de bifacialitat, aquest mòdul està dissenyat per obtenir un rendiment d’energia òptim. La seva durada estructura de vidre de doble vidre i el segellat de vora PIB compleixen els estàndards IEC Salt-MIST Nivell 8, cosa que la fa ideal per a projectes a escala d’utilitat que busquen LCOE inferior i un ROI superior.
Share to
Enviar la consulta
Descripció
Paràmetres tècnics

 

 

 

DSHBSolar Panel Hjt 132 700 W-735W

Mòdul solar de doble vidre bifacial cel·lular

 

DSHB132 700-735

 

 

DSHB132 Mòdul solar bifacial HJT - Enginyeria de precisió per a la màxima potència

Rendiment sense tapa amb disseny lliure de BO
Construït amb una estructura lliure de boro-oxigen, el DSHB132 elimina la degradació induïda per la llum (LID), garantint una generació d’energia a llarg termini consistent i a llarg termini.

 

Tall làser criogènic: precisió millorada, pèrdua reduïda
Les tècniques de tall criogènic avançades minimitzen les micro-cracks i la pèrdua d’energia, millorant la durabilitat del mòdul i la precisió de la fabricació.

 

Gestió de la llum optimitzada: reducció de l’ús de plata
L’estructura millorada de la llum augmenta l’absorció de la llum del sol i redueix el consum de pasta de plata, donant suport a una producció eficient i rendible.

 

Doped µ-sio₂ per a una eficiència cel·lular superior
Millora amb diòxid de micro-silicon dopat, l’arquitectura cel·lular assoleix les eficiències de conversió per sobre del 26%, impulsant els límits del rendiment.

 

Tecnologies de propera generació per a aplicacions d’utilitat

Tecnologia 0BB (Zero Busbar): elegant, eficient, potent
El disseny zero-Busbar redueix els camins actuals, minimitza les pèrdues resistents i millora l’estètica mentre augmenta l’eficiència cel·lular.

 

Tecnologia DS: alta potència amb baixa pèrdua
Combina el tractament de gettering i la capa µC-si (silici microcristal·lí) per purificar l'estructura cel·lular, millorant la producció d'energia global.

 

Fins a un 95% de bifacialitat: més energia dels dos costats
El disseny bifacial simètric garanteix un excel·lent guany d’energia posterior, maximitzant la producció en condicions de terra reflectant.

 

Segellat PIB durador + construcció de vidre doble
Amb un segellat de poliisobutilè robust i marcs recoberts integrats, el mòdul suporta unes condicions dures i compleix els estàndards IEC de la MIST de la MIST 8.

 

Dissenyat per a projectes solars a escala d’utilitat

 

Perfecte per a granges solars d’alt rendiment, el DSHB132 ofereix:

Menor saldo dels costos del sistema (BOS)

Cost reduït de l’energia (LCOE) reduït (LCOE)

Sortida fiable i ROI a llarg termini

 

 

Certificació

 

2024-08-12 092820

 

IEC61215, IEC61730

ISO9001: Sistema de Gestió de Qualitat 2015

ISO14001: 2015 Sistema de Gestió de Medi Ambient

ISO45001: 2018 Seguretat i salut en el treball 2018

IEC62941: Mòduls Photovoltaic (PV) 2019

Sistema per a la fabricació de mòduls fotovoltaics

 

Assegurança de qualitat

 

2024-08-16 175023

 

Paràmetres mecànics

 

Cel·la (mm)

210*105 mono bifacial
Dimensions (l*m*h) (mm) 2382*1134*33
Pes (Kg) 37.9
Mida de la secció de cable (M㎡) 4
Nombre de cèl·lules i connexions 132(6*22)
Nombre de díodes 3

 

Qualificació

 

Màxim. Tensió del sistema (V DC) DC1500V (IEC)
Interval de ciclisme de temperatura (grau) -40~+85
Màxim. Qualificació de fusibles en sèrie (a) 35
Tolerància de PMAX 0~+3%
Màxim. Càrrega de vent / màxim. Càrrega de neu (PA) 2400 / 5400
Taxa de punts calents 100% gratuït
Tipus de connector Compatible amb MC4
Qualificació d'incendis Classe II
Capsa de cruïlla i grau de protecció del connector IP68
Factor bifacial (%) 90±5

 

DSHB132 700-735W

 

Paràmetres elèctrics

 

DSHB132-700 DSHB132-705 DSHB132-710 DSHB132-715 DSHB132-720 DSHB132-725 DSHB132-730 DSHB132-735

Stc

AM1.5, 1000W/㎡

Temperatura de la cel·la 25 graus

Màxim. Potència a STC (PMPP/W) 700 705 710 715 720 725 730 735
Màxim. Tensió de potència (VMP/V) 41.78 41.87 41.96 42.05 42.14 42.23 42.32 42.41
Màxim. Corrent de potència (IMP/A) 16.76 16.84 16.93 17.02 17.10 17.18 17.26 17.34
Tensió del circuit obert (VOC/V) 49.77 49.87 49.97 50.07 50.17 50.27 50.37 50.47
Corrent de curtcircuit (ISC/A) 17.81 17.90 17.99 18.08 18.17 18.26 18.35 18.44
Eficiència del mòdul (%) 22.5

22.7

22.9 23.0 23.2 23.3 23.5 23.7

NocT

Am1.5, 800W/㎡,

Temperatura ambient de 20 graus,

Velocitat del vent 1m/s

Màxim. Potència a Noct (PMPP/W) 534 538 542 545

549

553 557 561
Màxim. Tensió de potència (VMP/V) 39.90 40.00 40.07 40.14 40.23 40.32 40.41 40.50
Màxim. Corrent de potència (IMP/A) 13.39 13.46 13.53 13.60 13.67 13.73 13.79 13.86
Tensió del circuit obert (VOC/V) 47.50 47.60 47.69 47.79 47.88 47.98 48.08 48.17
Corrent de curtcircuit (ISC/A) 14.23 14.31 14.38 14.45 14.52 14.59 14.67 14.74

BSTC

Am1.5, 800W/㎡,

135W/㎡, 25 graus

Màxim. Potència a BSTC (PMPP/W) 785 790 796 801 807 813 818 824
Màxim. Tensió de potència (VMP/V) 41.92 42.02 42.11 42.20 42.29 42.38 42.47 41.46
Màxim. Corrent de potència (IMP/A) 18.73 18.82 18.91 19.00 19.10 19.19 19.28 17.18
Tensió del circuit obert (VOC/V) 49.94 50.04 50.14 50.24 50.34 50.44 50.54 49.60
Corrent de curtcircuit (ISC/A) 19.97 20.07 20.18 20.28 20.38 20.48 20.58 20.68

 

Configuració d'embalatge

 

Contenidor (cub alt)
Mòduls per palet 33
Palets per contenidor 18
Mòduls per contenidor 594

 

Coeficients de temperatura

 

Tensió del coeficient de temperatura (VOC) -0,22 %/ grau
Corrent de coeficient de temperatura (ISC) 0,04 %/ grau
Potència de coeficient de temperatura (PM) -0,24 %/ grau

 

Corba IV

 

2024-08-20 110029

 

 

 

 

Etiquetes populars: DSHB132 Panell Solar HJT 700-735W, Xina, proveïdors, fabricants, fàbrica, elaborats a la Xina

Enviar la consulta
Enviar la consulta