Cèl·lula solar de silici tipus N

La tecnologia Heterojunction de silici (HJT) es basa en un camp de superfície posterior i emissor (BSF) que es produeix mitjançant el creixement a baixa temperatura de capes ultra fines de silici

La cèl·lula solar M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) de 210 mm té una eficiència del 24,4 per cent i una potència nominal de 10,76 watts per cèl·lula.

La tecnologia d'heterounió de silici (HJT) es basa en un emissor i un camp de superfície posterior (BSF) que es produeixen pel creixement a baixa temperatura de capes ultrafines de silici amorf

La tecnologia TOPCON (contacte passivat per òxid de túnel) augmenta l'eficiència de les cèl·lules solars de tipus N fins a un 25 per cent. La cèl·lula solar industrial de 210 mm TOPCon té una

La tecnologia TOPCON (contacte passiuat d’òxid de túnel) augmenta l’eficiència de les cèl·lules solars de tipus N fins al 24,5%. La cèl·lula solar monocristal·lina de tipus N 182 mm TOPCon té una

Actualitzada a partir de la tecnologia PERT, la tecnologia TOPCON (contacte d’òxid de túnel passivat) combinada amb la capa de passivació AlOx / SiNx augmenta l’eficiència de les cèl·lules solars de

Les cèl·lules solars de silici PERT mono-bifacials de tipus N (emissor passivat totalment difós) posseeixen altes eficiències de conversió estabilitzades. La cèl·lula solar PERT bifacial de tipus N

Les cèl·lules solars de silici de tipus mono bifacial PERT (emissor passivat totalment difós) posseeixen eficiències de conversió altes i estabilitzades. capacitat per suportar la degradació induïda

A l’estructura cel·lular del contacte posterior interdigitat (IBC), l’emissor i el contacte es troben a la part posterior de l’hòstia, cosa que permet una optimització independent de la superfície

Les cèl·lules solars de silici de tipus mono bifacial PERT (emissor passivat totalment difós) posseeixen eficiències de conversió altes i estabilitzades. capacitat per suportar la degradació induïda