Cèl·lula solar HJT monofacial tipus N

Cèl·lula solar HJT monofacial tipus N

La tecnologia d'heterounió de silici (HJT) es basa en un emissor i un camp de superfície posterior (BSF) que es produeixen pel creixement a baixa temperatura de capes ultrafines de silici amorf (a-Si:H) a ambdós costats de hòsties de silici monocristal·lí molt ben netejades, de menys de 200 μm de gruix, on les cèl·lules es fotogenen mitjançant el procés de deposició d'electrons. d'òxids conductors transparents que permeten una excel·lent metal·lització. La metal·lització es pot fer mitjançant una serigrafia estàndard que s'utilitza àmpliament a la indústria per a la majoria de cèl·lules o amb tecnologies innovadores.
Share to
Enviar la consulta
Xateja ara
Descripció
Paràmetres tècnics

 

 

Descripció dels productes

 

 

 

Estructura del nucli de la cèl·lula HJT

 

La tecnologia d'heterounió de silici (HJT) es basa en un emissor i un camp de superfície posterior (BSF) que es produeixen pel creixement a baixa temperatura de capes ultra-fines de silici amorf (a-Si:H) a banda i banda de hòsties de silici monocristal·lí molt ben netejades, de menys de 200 μm de gruix, on es generen electrons i holes.

product-1-1
HJT solar cell structure 400

Procés de fabricació de cèl·lules HJT

 

El procés de les cèl·lules es completa amb la deposició d'òxids conductors transparents que permeten una excel·lent metal·lització. La metal·lització es pot fer mitjançant una serigrafia estàndard que s'utilitza àmpliament a la indústria per a la majoria de cèl·lules o amb tecnologies innovadores.

Avantatges de la tecnologia HJT

 

Les cèl·lules solars de silici amb tecnologia d'heterounió (HJT) han cridat molt l'atenció perquè poden assolir altes eficiències de conversió, de fins a un 25%, mentre utilitzen un processament a baixa temperatura, normalment per sota dels 250 graus per al procés complet. La baixa temperatura de processament permet manipular hòsties de silici de menys de 100 μm de gruix mantenint un alt rendiment.

Profile2

 

 

 

 

               

Flux del procés

 

 

 

                       

 

 

Process flow A black

 

 

Característiques clau

 

 

 

 

Alt Eff i High Voc

Coeficient de baixa temperatura 5-8% guany de sortida de potència

Estructures bifacials

 

【Dades tècniques】

 

HJT solar cell Technical Data 1R
 

DADES TÈCNIQUES I DISSENY COEFICIENTS DE TEMPERATURA I SOLDERABILITAT
Dimensió 156,75 mm * 156,75 mm ± 0,25 TkUoc (%/K) -0.27
Gruix 190±30 µm TkIsc (%/K) +0.05
Davant 5 barres de bus TkPMAX (%/K) -0.336
Enrere 5 barres de bus Força de pelatge mínima >1,4 N/mm

 

HJT solar cell Technical Data 2R

 

No. Eficiència (%) Pmpp (W) Uoc (V) Isc (A) FF (%)
1 23.50 5.74 0.743 9.6 80.53
2 23.40 5.72 0.741 9.592 80.43
3 23.30 5.70 0.74 9.585 80.33
4 23.20 5.67 0.738 9.577 80.24
5 23.10 5.65 0.737 9.57 80.14
6 23.0 5.63 0.735 9.562 80.04
7 22.90 5.60 0.733 9.554 79.94
8 22.80 5.58 0.732 9.547 79.84
9 22.70 5.55 0.73 9.539 79.75
10 22.60 5.53 0.729 9.532 79.65
11 22.50 5.51 0.727 9.524 79.55
12 22.40 5.48 0.725 9.516 79.45
13 22.30 5.46 0.724 9.509 79.36
14 22.20 5.44 0.722 9.501 79.26
15 22.10 5.41 0.721 9.494 79.16
16 22.00 5.39 0.719 9.486 79.06
17 21.90 5.37 0.717 9.479 78.97
18 21.80 5.35 0.716 9.471 78.87
19 21.70 5.32 0.714 9.463 78.77
20 21.60 5.30 0.712 9.456 78.67
21 21.50 5.28 0.711 9.448 78.57

 

 

Certificat

 

 

4

 

 

1 1

  

 

 

Etiquetes populars: Cèl·lula solar HJT monofacial tipus N, Xina, proveïdors, fabricants, fàbrica, fet a la Xina

Enviar la consulta
Enviar la consulta