L’observació de silici monocristal·lí de tipus N-tipus N presenta un disseny complet de 158,75 × 158,75 mm, maximitzant l’exposició a la llum i l’eficiència del mòdul. Fabricat amb el mètode CZ amb dopatge de fòsfor, ofereix una qualitat de material excel·lent, baixa densitat de luxació (inferior o igual a 500 cm⁻²) i<100>Orientació de cristalls. Amb una conductivitat de tipus N, un rang de resistivitat de 0,5–7 ω · cm i portador de transport fins a superior o igual a 1000 µs, és adequat per a tecnologies cel·lulars d’alta eficiència com TopCon i HJT. La seva forma quadrada completa i les toleràncies geomètriques estretes asseguren una integració i un rendiment òptims del mòdul.
1. Propietats materials
|
Propietat |
Especificació |
Mètode d’inspecció |
|
Mètode de creixement |
Cz |
|
|
Cristalinitat |
Monocristal·lina |
Tècniques de gravat preferent(ASTM F47-88) |
|
Tipus de conductivitat |
N-tipus |
Napson EC-80TPN |
|
Dopant |
Fòsfor |
- |
|
Concentració d’oxigen [OI] |
Menys o igual a8e +17 at/cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
|
Concentració de carboni [CS] |
Menys o igual a5e +16 at/cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
|
Densitat de fosses de gravat (densitat de luxació) |
Menys o igual a500 cm-2 |
Tècniques de gravat preferent(ASTM F47-88) |
|
Orientació superficial |
<100>± 3 graus |
Mètode de difracció de raigs X (ASTM F26-1987) |
|
Orientació dels costats de pseudo quadrat |
<010>,<001>± 3 graus |
Mètode de difracció de raigs X (ASTM F26-1987) |
2. Propietats elèctriques
|
Propietat |
Especificació |
Mètode d’inspecció |
|
Resistivitat |
1.0-7.0 ω.cm
|
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
MCLT (Minority Carrier Lifetime) |
Major o igual a 1000 µs (resistivitat ＞ 1.0ohm.cm)
Major o igual a 500 µs (resistivitat ＜ 1.0ohm.cm)
|
Sinton BCT-400 QSSPC/Transient
(amb nivell d'injecció: 1e15 cm -3)
|
3. Geometria
|
Propietat |
Especificació |
Mètode d’inspecció |
|
Geometria |
Pseudo plaça |
|
|
Forma de la vora del bisell
|
rodó | |
|
Longitud lateral de les hòsties |
182 ± 0,25 mm
|
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
Diàmetre de les hòsties |
φ247 ± 0,25 mm |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
Angle entre els costats adjacents |
90 graus ± 0,2 graus |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
Gruix |
180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
|
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
TTV (variació total de gruix) |
Menys o igual a 27 µm |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
4.Propietats superficials
|
Propietat |
Especificació |
Mètode d’inspecció |
|
Mètode de tall |
Estil |
-- |
|
Qualitat superficial |
Com a tall i netejat, no es permet la contaminació visible (oli o greix, estampes digitals, taques de sabó, taques de purins, taques epoxi/cola) |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
Marques / passos de veure |
Menys o igual a 15 µm |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
Fer una reverència |
Menys o igual a 40 µm |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
Deformar |
Menys o igual a 40 µm |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
Estella |
profunditat inferior o igual a 0,3 mm i longitud inferior o igual a 0,5 mm màxim 2/PC; Sense xip V |
Sistema d’inspecció dels ulls nus o de les hòsties |
|
Micro esquerdes / forats |
No permès |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
Etiquetes populars: Especificació de les hòsties de silici monocristal·lí de tipus N-tipus N, Xina, proveïdors, fabricants, fàbrica, elaborats a la Xina
