Aquesta especificació defineix les hòsties de silici monocristal·lines de tipus N (mida M10) per a cèl·lules solars avançades. Produïts a través del mètode Czochralski amb dopatge de fòsfor, les hòsties presenten una baixa concentració d’oxigen (fins a 8e17 a/cm³), baixa concentració de carboni (fins a 5e16 a/cm³), densitat de fosses de gravat fins a 500 cm⁻² i orientació a la superfície precisa en 3 graus de<100>.
Les propietats elèctriques clau inclouen un rang de resistivitat d’1,0 a 7,0 Ω.CM i vida de transportista d’alta minoria (mínim 1000 μs).
Les hòsties tenen una geometria pseudo-quadrada optimitzada amb longitud lateral 182 mm (tolerància 0,25 mm), diàmetre 247 mm (tolerància 0,25 mm) i laterals adjacents a 90 graus (tolerància 0,2 graus). Disponibles en gruixos de 150 a 180 μm (amb toleràncies), asseguren una variació mínima de gruix (TTV màxim 27 μm). La qualitat de la superfície està estrictament controlada ("com a tall i netejat"), prohibint la contaminació i els micro-cracks, amb límits de les marques de serra (màxim 15 μm), arc i deformació (màxim 40 μm cadascun). Aquest gran format admet el canvi de la indústria cap a la captura de llum optimitzada.
1. Propietats materials
|
Propietat |
Especificació |
Mètode d’inspecció |
|
Mètode de creixement |
Cz |
|
|
Cristalinitat |
Monocristal·lina |
Tècniques de gravat preferent(ASTM F47-88) |
|
Tipus de conductivitat |
N-tipus |
Napson EC-80TPN |
|
Dopant |
Fòsfor |
- |
|
Concentració d’oxigen [OI] |
Menys o igual a8e +17 at/cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
|
Concentració de carboni [CS] |
Menys o igual a5e +16 at/cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
|
Densitat de fosses de gravat (densitat de luxació) |
Menys o igual a500 cm-2 |
Tècniques de gravat preferent(ASTM F47-88) |
|
Orientació superficial |
<100>± 3 graus |
Mètode de difracció de raigs X (ASTM F26-1987) |
|
Orientació dels costats de pseudo quadrat |
<010>,<001>± 3 graus |
Mètode de difracció de raigs X (ASTM F26-1987) |
2. Propietats elèctriques
|
Propietat |
Especificació |
Mètode d’inspecció |
|
Resistivitat |
1.0-7.0 ω.cm
|
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
MCLT (Minority Carrier Lifetime) |
Més gran o igual a 1000 µ |
Sinton BCT-400
Transitori
(amb nivell d'injecció: 5e14 cm-3)
|
3. Geometria
|
Propietat |
Especificació |
Mètode d’inspecció |
|
Geometria |
Pseudo plaça |
|
|
Forma de la vora del bisell
|
rodó | |
|
Longitud lateral de les hòsties |
182 ± 0,25 mm
|
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
Diàmetre de les hòsties |
φ247 ± 0,25 mm |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
Angle entre els costats adjacents |
90 graus ± 0,2 graus |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
Gruix |
180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
|
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
TTV (variació total de gruix) |
Menys o igual a 27 µm |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
4.Propietats superficials
|
Propietat |
Especificació |
Mètode d’inspecció |
|
Mètode de tall |
Estil |
-- |
|
Qualitat superficial |
Com a tall i netejat, no es permet la contaminació visible (oli o greix, estampes digitals, taques de sabó, taques de purins, taques epoxi/cola) |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
Marques / passos de veure |
Menys o igual a 15 µm |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
Fer una reverència |
Menys o igual a 40 µm |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
Deformar |
Menys o igual a 40 µm |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
|
Estella |
profunditat inferior o igual a 0,3 mm i longitud inferior o igual a 0,5 mm màxim 2/PC; Sense xip V |
Sistema d’inspecció dels ulls nus o de les hòsties |
|
Micro esquerdes / forats |
No permès |
Sistema d’inspecció d’hòsties |
Etiquetes populars: Especificació de les hòsties de silici monocristalí de tipus N-tipus M10, Xina, proveïdors, fabricants, fàbrica, elaborats a la Xina
